Leistungselektronik-Kolloquium in Kooperation mit dem Cluster Leistungselektronik
Das Kolloquim findet als HYBRIDE Veranstaltung statt.
Die Teilnahme ist kostenfrei und offen für alle Interessierten.
Eine Voranmeldung ist nicht erforderlich.
Veranstaltungsort: Hans-Georg-Waebersaal, Fraunhofer IISB, Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen oder
Online: via MS TEAMS
Beginn: 17:15 Uhr
Am MS-TEAMS Meeting teilnehmen
Rechtliche Hinweise
GaN-basierte 800V Umrichter-Systeme
- "Praktischer Einsatz von GaN im automobilen Traktionsumrichter"
Andreas Zibold - ZF Friedrichshafen AG
Der Trend zu GaN als Basismaterial für zukünftige Leistungsschalter im Traktionsumrichter bringt Herausforderungen mit sich, welche gerade in Systemen mit einer Batteriespannung von 800V gelöst werden müssen. Zur Evaluierung des Potentials werden neue Umrichter Topologien sowie systembedingte Anpassungen benötigt, um die prognostizierten Vorteile mit aktuell verfügbaren Bauteilen nutzbar zu machen.
- "Umrichter-Design für elektrische Hochdrehzahlmotoren"
Jordan Sorge - Fraunhofer IISB
Elektrische Hochdrehzahl Maschinen benötigen elektrische Ausgangsfrequenzen von mehreren Kilohertz und zeichnen sich durch eine niedrige Motorinduktivität aus. Um trotzdem eine geringer Oberwelligkeit des Phasenstroms zu erreichen, werden hohe Schaltfrequenzen benötigt. Im Rahmen des Vortrages wird ein auf diese Anforderungen zugeschnittenes Umrichter-Design mit GaN-Leistungshalbleiter vorgestellt, welches durch seinen niederinduktiven Aufbau hohe Schaltgeschwindigkeiten ermöglicht und somit die Schaltverluste des Umrichters geringhält.
Ab 18:45 Uhr Diskussion bei Imbiss und Getränken
Nutzen Sie die Gelegenheit, um sich zu informieren. Leiten Sie diese Informationen gerne auch an interessierte KollegenInnen weiter.
