BMBF-Förderprogramm "ForMikro": Erforschung innovativer Leistungstransistoren auf Basis des neuartigen Materialsystems Aluminiumnitrid (LeitBAN)

Projektvolumen:
3,06 Mio. € (davon 100% Förderanteil durch BMBF)

Projektkoordinator:  
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchst-frequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.

Projektpartner:

• Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB, Erlangen
• Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
• Brandenburgische Technische Universität Cottbus-Senftenberg
• Technische Universität Berlin
• Technische Universität Bergakademie Freiberg

Projektinhalt:
Im Projekt LeitBAN sollen auf Basis von Wide-Band-Gap-Halbleitern neue Leistungselektronik-materialien und Bauelemente erforscht werden. Zwar wird aktuell immer noch sehr häufig Silizium für Umrichter und Schalter verwendet, es drängen aber immer mehr neue Materialien, sogenannte Wide-Band-Gap-Halbleiter, auf den Markt, da diese enorme Vorteile bieten. Durch die vielversprechenden Eigenschaften von Aluminiumnitrid (AlN) werden kompaktere Transistoren mit bisher nicht erreichter Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit ermöglicht. LeitBAN deckt die gesamte Wertschöpfungskette von der Materialentwicklung, Wafertechnologie, Epitaxie, Prozessierung, Charakterisierung und Modellierung ab. Die Vorteile der AlN-Technologie gegenüber konventioneller Silizium- oder Galliumnitrid-Technik sollen anhand von Demonstratoren gezeigt und mithilfe der as-soziierten Industriepartner bewertet werden.

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