Forschungsprojekte, Materialien, Bauelemente
Datum: 30/09/2019 - 31/08/2023
Projektvolumen:
2,52 Mio. € (davon 98% Förderanteil durch BMBF)
Projektkoordinator:
Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik FEP, Dresden
Projektpartner:
Projektinhalt:
In der Leistungselektronik werden zunehmend mikroelektronische Bauelemente verwendet, die extradünne Schichten des Halbleiters Galliumnitrid (GaN) enthalten. Die Herstellung dieser Schichten erfordert langwierige und kostenintensive Verfahren. Im Projekt GaNESIS soll ein Prozess entwickelt werden, mit dem GaN in der erforderlichen Qualität über ein schnelles und kostengünstiges Verfahren abgeschieden werden kann – das sogenannte Sputtern. Hierfür sind im Projekt umfassende Forschungsarbeiten sowohl in der Anlagen- als auch in der Prozessentwicklung nötig, um in der späteren Anwendung neuartige Elektronikbauelemente entwickeln zu können. Die erforderlichen Spezifikationen werden gemeinsam mit führenden Elektronikproduzenten erarbeitet.
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