BMBF-Förderprogramm "LES": Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)

Projektvolumen: 
3,7 Mio. €

Projektkoordinator:
Fraunhofer-Gesellschaft IAF, Freiburg

Projektpartner:

• Robert Bosch GmbH, Reutlingen
• KACO new energy GmbH, Neckarsulm
• IXYS Semiconductor GmbH, Lampertheim
• United Monolithics Semiconductors GmbH, Ulm
• Forschungsverbund Berlin e.V. (Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik), Berlin
• Universität Erlangen-Nürnberg
• Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule, Aachen

Projektinhalt:
Galliumnitrid-Schalttransistoren - Ein Schlüsselbauelement für mehr Effizienz in der Leistungselektronik
GaN-Transistoren sind bei großen Strömen und hohen Spannungen deutlich leistungsfähiger und energieeffizienter als heute verwendete Silizium-basierte Bauelemente. Als beispielhafte Anwendung der GaN-Technologie sind im Forschungsverbund zwei Demonstratoren geplant: Zum einen ein Leistungswandler für Elektroautos, der als integriertes Ladegerät für die Batterien im Fahrzeug genutzt werden soll. Zum anderen soll ein Wechselrichter mit bis zu 5 kW Leistung zur Netzeinspeisung von Energie aus Solarparks aufgebaut werden.