BMBF-Förderprogramm "LES": Effiziente, hochkompakte Hochfrequenz-Leistungselektronik mit GaN-Transistoren (GaN-resonant)

Projektvolumen: 
1,64 Mio. € (davon 69% Förderanteil durch BMBF)

Projektkoordinator:
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE)

Projektpartner:

• Liebherr Elektronik GmbH
• SUMIDA Components & Modules GmbH

Projektinhalt:
Mit neuen Gallium-Nitrid (GaN)-Transistoren sollen die bisher üblichen Schaltfrequenzen von Gleichspannungswandlern (DC/DC-Wandlern) auf weit über ein Megahertz angehoben werden. Durch die enorme Erhöhung der Schaltfrequenz können die passiven Bauelemente des DC/DCWandlers wesentlich kleiner ausgelegt und ein großer Anteil von Gewicht und Volumen eingespart werden. Induktive Bauelemente aus herkömmlichen Materialien können aufgrund der hohen entstehenden Verluste jedoch nicht mit den hier vorgesehenen Frequenzen und Leistungen betrieben werden. Deshalb wird im Vorhaben auch im Bereich der Materialwissenschaften geforscht und es werden neue passive Komponenten entwickelt.