Forschungsprojekte, Stromrichter, Antriebe
Datum: 31/12/2013 - 30/03/2017
Projektvolumen:
5,05 Mio. € (davon 79% Förderanteil durch BMBF)
Projektkoordinator:
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Projektpartner:
Projektinhalt:
Ein innovativer Ansatz zur Senkung der Fertigungskosten besteht in der Eingliederung der Galliumnitrid-basierten Transistoren in CMOS (Complementary metal-oxide semi-conductor)-Fertigungslinien, die eine kostengünstige Serienproduktion erlauben würde. Zudem soll in den kommenden Jahren das besondere Integrationspotential, der hohe Durchsatz und die hervorragende Funktionalität der Silizium-CMOS-Technologie mit der hohen elektrischen Leistungsdichte und Robustheit der Galliumnitrid-Bauelemente kombiniert werden, um die vielversprechenden Möglichkeiten für eine optimierte Leistungselektronik nutzbar zu machen.
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