BMBF-Förderprogramm Mikroelektronikforschung (KomroL): Projekt "Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid (GaNIAL)"

Projektvolumen: 
5,3 Mio. € (davon 57% Förderanteil durch BMBF)

Projektkoordinator: 
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

Projektpartner:

• Robert Bosch GmbH, Gerlingen-Schillerhöhe
• BMW AG, München
• Finepower GmbH, Ismaning
• Universität Stuttgart
• TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG, Freiburg 
  
  

Projektinhalt:
Mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) kann Leistungselektronik mit einem sehr hohen Wirkungsgrad für die Elektromobilität und den Maschinen- bzw. Anlagenbau realisiert werden. Diese neuen Systeme lassen im Vergleich zu heutigen Systemen höhere Leistungen bei geringerer Größe, schnelleres Schalten und höhere Betriebstemperaturen zu. Ziel des Projekts GaNIAL ist es, GaN-Leistungselemente, Ansteuerschaltungen und thermische Zustandsüberwachung extrem kompakt auf einem einzigen Halbleiterchip zu integrieren. Eine ausgeklügelte Aufbau- und Verbindungstechnik soll dabei für geringe Verluste, optimierte elektromagnetische Verträglichkeit und eine effiziente Kühlung des Leistungsmoduls sorgen.

GaNIAL Webseite