Forschungsprojekte, Materialien, Bauelemente
Datum: 31/10/2016 - 30/10/2019
Projektvolumen:
2,6 Mio. € (davon 61% Förderanteil durch BMBF)
Projektkoordinator:
SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
Projektpartner:
Projektinhalt:
Im Vorhaben sollen wesentliche technologische Aspekte der Halbleiter-, Modul-, und Umrichter-entwicklung auf Galliumnitrid-Basis verbessert werden. Diese Entwicklungen sollen das Wide-Band-Gap-Material (Halbleiter mit großer Bandlücke) für die Leistungselektronik in der Elektromobilität verfügbar machen und höhere Arbeitstemperaturen ermöglichen. Schwerpunkt des Vorhabens ist es, einen niederinduktiven und hochintegrierten Umrichter zu entwickeln, der bei großer Zuverlässigkeit einen höheren Wirkungsgrad sowie eine höhere Leistungsdichte aufweist. Die Ergebnisse werden in einem Demonstrator veranschaulicht.
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