BMBF-Förderprogramm Mikroelektronikforschung: Projekt "Kartografie und Modellierung von GaN/Si-Wafern für Leistungselektronikanwendungen (GaNScan)

Projektvolumen: 
1,38 Mio. € (68% Förderanteil durch BMBF) 

Projektkoordinator: 
RoodMicrotec GmbH, Stuttgart

Projektpartner:

• AdMOS GmbH, Frickenhausen
• Institut für Mikroelektronik Stuttgart IMS CHIPS, Stuttgart 
  

Projektinhalt:
Ziele im KMU-innovativ-Projekt GaNScan sind die Erforschung und Entwicklung elektrischer Mess- und Kartografieverfahren für Galliumnitrid (GaN)-basierte Bauelemente auf Silizium (Si)-Wafern (GaN/Si), die Untersuchung von Alterungseffekten und deren erstmalige Komplettmodellierung im GaN-Bauelement. Aufgrund ihrer hohen Energieeffizienz und Leistungsdichte stehen GaN-basierte Elektroniksysteme an der Schwelle zur industriellen Verwertung in der Leistungselektronik. Um die hierfür notwendige langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten, sind jedoch neue Charakterisierungs- und Modellierungsverfahren notwendig. Im Projekt wird daher das übergeordnete Ziel verfolgt, grund-legende Erkenntnisse zum Verhalten und zur Modellbildung von GaN/Si-Wafern und kompletten GaN/Si-Bauelementen zu gewinnen und Testverfahren zu etablieren, um die notwendige Zuverlässigkeit künftig zu gewährleisten.

GaNScan Webseite